Транзистор IGBT Infineon IKW50N65EH5

Применяется для ремонта преобразователей напряжения , сварочных инверторов , ИБП
А также при производстве передовых ,бесступенчатых инверторных стабилизатров QUANT
Полностью оригинальный компонент ( не копия не китай и т д !!!)

Производитель:INFINEON

Highspeed 5 IGBT in TRENCHSTOP(TM) 5 technology copacked with full-rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode.

После присоединения компании International Rectifier к компании Infineon инновационные серии кремниевых IGBT TRENCHSTOP^TM5 и TRENCHSTOP^TM Performance от Infineon были дополнены IGBT поколения Gen 6.2 от IR. Компания Infineon при этом заняла лидирующие позиции на мировом рынке IGBT как по объему выпуска, так и по технологическим решениям.

В настоящее время кремниевые IGBT являются основным типом полностью управляемых силовых транзисторных ключей (СТК) при блокируемых напряжениях 300…500 В и выше (примерно до 6500 В) [1]. IGBT удачно сочетают достоинства, характерные для силовых MOSFET (быстроту переключения, сравнительно большой пиковый ток, простоту управления, широкую, практически прямоугольную ОБР, стойкость к лавинному пробою и быстрому нарастанию напряжения), с преимуществами приборов на неосновных носителях: сравнительно малое падение напряжения в проводящем состоянии; возможность работы с весьма большими плотностями тока как в импульсном, так и в продолжительном режимах; незначительное ухудшение падения напряжения на открытом ключе по мере роста класса допустимого блокируемого напряжения. Кроме того, важным преимуществом IGBT в сравнении с MOSFET является отсутствие в явном виде встроенного антипараллельного диода. Это позволяет, при необходимости, выбирать между применением внешнего диода с быстрым восстановлением, имеющим оптимальные для данной задачи характеристики, и использованием «СО-РАСK»-прибора, то есть размещенных в одном корпусе кристаллов IGBT и антипараллельного диода[1].

Вследствие разнообразия условий применения и критериев оптимальности конкретных проектов востребованы IGBT с различным (компромиссным) сочетанием свойств и параметров. При заданном классе IGBT по блокируемому напряжению приборы могут различаться по таким основным характеристикам как:

• падение напряжения в проводящем состоянии UКЭ(ПРОВ) при заданном значении тока IК через транзистор;
• максимально-допустимые постоянный и импульсный токи I_К;
• энергия потерь при включении W_ВКЛ и выключении W_ВЫКЛ;
• себестоимость производства и, соответственно, цена IGBT;
• наличие (или отсутствие) шунтирующего IGBT антипараллельного диода и его качественные характеристики (главным образом – быстродействие);
• стойкость к короткому замыканию в силовой цепи в течение определенного времени;
• температурные зависимости и разброс свойств между экземплярами однотипных приборов по параметрам UКЭ(ПРОВ), WВКЛ и WВЫКЛ [1].

Нормированная стойкость к КЗ позволяет применять IGBT в электроприводах без использования дополнительных дросселей, ограничивающих скорость нарастания тока в аварийных ситуациях. Небольшой положительный температурный коэффициент UКЭ(ПРОВ) в сочетании с малой дисперсией этого параметра среди однотипных транзисторов сильно облегчает организацию параллельной работы нескольких IGBT. Небольшая величина и термостабильность потерь WВКЛ и WВЫКЛ позволяет увеличить рабочую температуру прибора, что в свою очередь значительно упрощает организацию теплоотвода. В общем случае улучшение отдельных параметров достигается проигрышем в других характеристиках, однако прогресс технологий изготовления IGBT позволяет получать все более выгодный комплекс свойств ключей. Наличие разнообразных технологических семейств IGBT и рядов приборов по блокируемому напряжению и по типам корпусов дает разработчику преобразовательной техники возможность выбора оптимального транзистора под определенные условия применения.